SSM6N62TU,LXHF
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | SSM6N62TU,LXHF |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | SMOS LOW RON DUAL NCH ID:0.8A, V |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.46 |
10+ | $0.394 |
100+ | $0.294 |
500+ | $0.231 |
1000+ | $0.1785 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | UF6 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 800mA, 4.5V |
Leistung - max | 500mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 800mA (Ta) |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SSM6N62 |
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
TOSHIBA UDFN-6
SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
TOSHIBA UDFN-6
TOSHIBA SOT363
TOSHIBA UDFN-6
TOSHIBA SOT363
TOSHIBA UDFN6
TOSHIBA UDFN6
SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SSM6N62TU,LXHFToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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